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外文翻译-应用于异质结太阳电池中掺杂非晶硅层的优化,材料科学与工程 材料物理与化学，包括外文文献翻译及原文optimisation of doped amorphous silicon layers applied toheterojunction solar cells应用于异质结太阳电池中掺杂非晶硅层的优化abstractthe optimisation of am...
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材料科学与工程 材料物理与化学，包括外文文献翻译及原文
Optimisation of doped amorphous silicon layers applied toheterojunction solar cells
应用于异质结太阳电池中掺杂非晶硅层的优化
Abstract
The optimisation of amorphous silicon layers (a-Si:H) is of key importance to obtain high efficiency heterojunction(HJ) solar cells. However since many mechanisms take place in photovoltaic energy conversion good electrical andoptical properties of a-Si:H films do not always result in high efficiency HJ devices. This is principally due to the useof very thin layers were interfaces are of capital importance and bulk properties are not always the main guideline tobest results on solar cells. In this work we focus on the doping analysis of (n) and (p) a-Si:H layers directly and theirimpact on solar cell results. First we have deposited and characterized simple (p) and (n) a-Si:H layers and then wehave integrated them on full heterojunction solar cells. We have correlated the solar cells characteristics (Jsc Voc andFF) with layer properties in order to understand the main mechanisms involved in the high performance of HJdevices. Finally we have chosen the best layers to improve the efficiency of our heterojunction solar cells on (n) c-Si125PSQ wafers up to 20% on an industrially-compatible process.
摘 要
非晶硅层的优化对于制备异质结太阳电池来说非常重要。然而，由于在光伏能量转换中有许多机制发生，所以即使优化好的非晶硅薄膜具有良好的电学和光学性能，它也并不一定是具有高效率的器件。这主要是由于作为界面的非晶硅薄层的使用在太阳能电池中具有重要的作用，并且为了得到最好的结果，整体性能并不总是主要的原则。在本篇论文中，我们专注于直接对n型及p型非晶硅层进行掺杂分析并研究他们在最后的太阳能电池中所产生的影响。首先，我们沉积了具有简单典型特征的p型及n型非晶硅层，然后我们把他们整合到完整的异质结太阳能电池中。我们将得到的电池特性参数（短路电流、开路电压、填充因子）与对应的非晶硅层的特性联系起来，以便于理解高效率异质结电池包含的主要机理。最后，我们选择了在型号为125PSQ的n型晶圆片上沉积性能最好的非晶层上来提高异质结电池效率，从而达到了可以与工业化水平相比的20%的电池效率。
Optimisation of doped amorphous silicon la
应用于异质结太阳电池中掺杂非晶硅层的优化
Abstract
The optimisation of amorphous silicon la
摘 要
非晶硅层的优化对于制备异质结太阳电池来说非常重要。然而，由于在光伏能量转换中有许多机制发生，所以即使优化好的非晶硅薄膜具有良好的电学和光学性能，它也并不一定是具有高效率的器件。这主要是由于作为界面的非晶硅薄层的使用在太阳能电池中具有重要的作用，并且为了得到最好的结果，整体性能并不总是主要的原则。在本篇论文中，我们专注于直接对n型及p型非晶硅层进行掺杂分析并研究他们在最后的太阳能电池中所产生的影响。首先，我们沉积了具有简单典型特征的p型及n型非晶硅层，然后我们把他们整合到完整的异质结太阳能电池中。我们将得到的电池特性参数（短路电流、开路电压、填充因子）与对应的非晶硅层的特性联系起来，以便于理解高效率异质结电池包含的主要机理。最后，我们选择了在型号为125PSQ的n型晶圆片上沉积性能最好的非晶层上来提高异质结电池效率，从而达到了可以与工业化水平相比的20%的电池效率。
