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功率MOSFET雪崩击穿问题故障分析
近年来作了多次关于功率半导体器件发展趋势的报告，许多朋友都希望我讲得更详细些，或更能符合应用工作者的口味，因而撰写一篇现代功率半导体器件浅说的想法由来已久。只是由于设想太大，久久未能动笔。现在从功率MOSFET写起，作为现代功率半导体器件浅说之一，以后再接着写之二、之三，这样就免于搁浅。本文是一种尝试，希望能使读者对现代功率半导体器件的发展有较深入的理解，能更主动地以新一代的器件去改进自己的电路。既是一篇浅说，就需要把基本原理讲得尽可能浅显些。使大家像读故事书那样把技术弄清楚。有的解释或许不够严格。如果我忽略了一些主要的东西，希望读者能协助我予以改正。
　　由于世界市场的激烈竞争，各功率半导体器件制造商正投入大量资金发展新的设计、改进新的工艺、开发新的产品。好些产品甚至每个季度都有新的发展，品种的更新换代几乎到了使人眼花缭乱的程度。因此详细介绍器件发展的新趋势，就显得更为必要了。