mocvd垂直喷淋式反应器数值模拟和分析.doc
约24页DOC格式手机打开展开
mocvd垂直喷淋式反应器数值模拟和分析,mocvd垂直喷淋式反应器数值模拟和分析8700字 24页 原创作品，已通过查重系统摘要：金属有机化学气相沉积（mocvd）是制备led、半导体激光器和大功率电子器件的关键技术。深入了解mocvd反应器内的薄膜生长过程，对于优化反应器设计、控制薄膜生长速率和提高薄膜生长质量，具有重要意义。本文简介了gan的mocvd生...
内容介绍
此文档由会员 马甲线女神 发布
MOCVD垂直喷淋式反应器数值模拟和分析
8700字 24页 原创作品，已通过查重系统
摘要：
金属有机化学气相沉积（MOCVD）是制备LED、半导体激光器和大功率电子器件的关键技术。深入了解MOCVD反应器内的薄膜生长过程，对于优化反应器设计、控制薄膜生长速率和提高薄膜生长质量，具有重要意义。
本文简介了GaN的MOCVD生长方法，对MOCVD的反应器做了大致的介绍；简述了MOCVD的原理；对国内外的MOCVD设备的现状做了大致的说明；并且结合fluent软件，对垂直式喷淋式MOCVD反应器衬底转速、气体进口流速等关键（衬底转速、气体进口流速）因素对GaN的影响进行了数值模拟，并且对模拟结果进行了分析。
模拟结果证明 对于温度分布而言，进气口速度越大越好；对于反应物浓度分布而言，进气口速度越小越好，转速越快越好。但进气速度太大会导致气体源的浪费。因此应该综合考虑选择合适的进气速度；射流速度越大，对薄膜形成也就越有利。但是，对于反应物浓度分布，可能较低的进口速度会比较好，射速过快可能会产生湍流，也可能会形成死区。
8700字 24页 原创作品，已通过查重系统
摘要：
金属有机化学气相沉积（MOCVD）是制备LED、半导体激光器和大功率电子器件的关键技术。深入了解MOCVD反应器内的薄膜生长过程，对于优化反应器设计、控制薄膜生长速率和提高薄膜生长质量，具有重要意义。
本文简介了GaN的MOCVD生长方法，对MOCVD的反应器做了大致的介绍；简述了MOCVD的原理；对国内外的MOCVD设备的现状做了大致的说明；并且结合fluent软件，对垂直式喷淋式MOCVD反应器衬底转速、气体进口流速等关键（衬底转速、气体进口流速）因素对GaN的影响进行了数值模拟，并且对模拟结果进行了分析。
模拟结果证明 对于温度分布而言，进气口速度越大越好；对于反应物浓度分布而言，进气口速度越小越好，转速越快越好。但进气速度太大会导致气体源的浪费。因此应该综合考虑选择合适的进气速度；射流速度越大，对薄膜形成也就越有利。但是，对于反应物浓度分布，可能较低的进口速度会比较好，射速过快可能会产生湍流，也可能会形成死区。
