半导体材料ingan生长的相分离研究.doc

半导体材料InGaN生长的相分离研究

9200字 26页 原创作品，已通过查重系统


摘要 宽带隙Ⅲ族氮化物半导体材料在新型光电器件中具有潜在的应用它的研究目前已成为材料科学中一个极其活跃的前沿。这类材料的直接带隙结构和宽带隙特性以及它们所具有的强度大熔点高热导电性好等优异物理性质使其在光电器件尤其是在绿色、蓝绿色和蓝色发光器件中具有潜在的重要应用。
半导体材料InGaN借由改变InN和GaN成分的比例，带隙可以从0.70 eV连续变到3.42 eV，基本上覆盖了整个可见光波段，还包括了部分红外波段，且均具有直接带隙，因此它在光电器件和光存储器件方面都有着很大的利用价值；因其击穿电压和电子饱和速率较高，在微波、电力工业中新型电子开关等高频大功率电子器件领域有着应用前景；此外，其高热导率、强原子键、高化学稳定性等属性在高温大功率器件方面也有广阔前景。
本文着重介绍InGaN相分离形式、产生条件、诱发以及混溶隙的计算和模拟出图，其中，混溶隙将成为代表InGaN这类合金外延生长的一个显著问题，另外简要介绍了InGaN基于MOVPE的热力学分析，通过金属有机化合物气相外延（MOVPE）为 合金计算平衡分压与混晶气-固组分的相图。


关键词: InGaN材料 相分离 混溶隙 热力学分析 MOVPE