新型电容压敏双功能材料制备技术研究.doc
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新型电容压敏双功能材料制备技术研究,preparation of new type capacitor-varistor bifunctional material1.6万字 36页 原创作品，已通过查重系统 摘要：随着电力电子技术的高速发展，新型电容压敏双功能材料受到越来越多的关注。电容-压敏双功能器件在设备过电压保护...
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新型电容压敏双功能材料制备技术研究
Preparation of New Type Capacitor-varistor Bifunctional Material
1.6万字 36页 原创作品，已通过查重系统
摘要：随着电力电子技术的高速发展，新型电容压敏双功能材料受到越来越多的关注。电容-压敏双功能器件在设备过电压保护、吸收高频电脉冲、消除电路噪声、提高功能器件的自保护特性等方面有着广泛用途，对实现器件小型化与功能化具有重要意义。本文以溶胶-凝胶法制备了ZnO/CCTO复合膜以及ZnO/CuO复合膜，利用XRD分析其物相，SEM观察横截面形貌，压敏电阻直流参数分析仪测试其压敏性能，阻抗分析仪Agilent HP4294A测试其介电性能，分析了ZnO/CCTO复合膜和ZnO/CuO复合膜的微观结构和电学性能。
对于ZnO/CCTO复合膜，XRD表明样品中有结晶良好的ZnO相和CCTO相，少量Mn2O3和Bi2O3的存在说明Mn2O3和Bi2O3并未与ZnO反应生成新相；SEM图分析表明CCTO-ZnO 薄膜结构最佳，具有明显的分层现象，横截面呈均匀结构；所有的样品均表现出强烈的E-J非线性；CCTO-ZnO-CCTO结构的薄膜样品具有最大的非线性系数2.9和最小的漏电流444μA。同时CCTO-ZnO-CCTO在低频具有最低的介电损耗和较高的介电常数，对于ZnO/CuO复合膜，XRD表明样品中有结晶良好的ZnO相和CuO相，在XRD图中也存在少量Mn2O3和Bi2O3；SEM图分析表明ZnO-CuO-ZnO薄膜的结构最佳，结构均匀；所有的样品均在低压范围内表现出强烈的E-J非线性，ZnO-CuO-ZnO结构的薄膜样品具有最大的非线性系数1.8和最小的漏电流607μA；ZnO-CuO-ZnO结构的薄膜样品的介电损耗在低频区也是最低的。将两者薄膜并联提高了介电性能，但是压敏性能并没有得到改善。
关键词：双功能材料； 电容； 压敏； ZnO
Preparation of New Type Capacitor-varistor Bifunctional Material
1.6万字 36页 原创作品，已通过查重系统
摘要：随着电力电子技术的高速发展，新型电容压敏双功能材料受到越来越多的关注。电容-压敏双功能器件在设备过电压保护、吸收高频电脉冲、消除电路噪声、提高功能器件的自保护特性等方面有着广泛用途，对实现器件小型化与功能化具有重要意义。本文以溶胶-凝胶法制备了ZnO/CCTO复合膜以及ZnO/CuO复合膜，利用XRD分析其物相，SEM观察横截面形貌，压敏电阻直流参数分析仪测试其压敏性能，阻抗分析仪Agilent HP4294A测试其介电性能，分析了ZnO/CCTO复合膜和ZnO/CuO复合膜的微观结构和电学性能。
对于ZnO/CCTO复合膜，XRD表明样品中有结晶良好的ZnO相和CCTO相，少量Mn2O3和Bi2O3的存在说明Mn2O3和Bi2O3并未与ZnO反应生成新相；SEM图分析表明CCTO-ZnO 薄膜结构最佳，具有明显的分层现象，横截面呈均匀结构；所有的样品均表现出强烈的E-J非线性；CCTO-ZnO-CCTO结构的薄膜样品具有最大的非线性系数2.9和最小的漏电流444μA。同时CCTO-ZnO-CCTO在低频具有最低的介电损耗和较高的介电常数，对于ZnO/CuO复合膜，XRD表明样品中有结晶良好的ZnO相和CuO相，在XRD图中也存在少量Mn2O3和Bi2O3；SEM图分析表明ZnO-CuO-ZnO薄膜的结构最佳，结构均匀；所有的样品均在低压范围内表现出强烈的E-J非线性，ZnO-CuO-ZnO结构的薄膜样品具有最大的非线性系数1.8和最小的漏电流607μA；ZnO-CuO-ZnO结构的薄膜样品的介电损耗在低频区也是最低的。将两者薄膜并联提高了介电性能，但是压敏性能并没有得到改善。
关键词：双功能材料； 电容； 压敏； ZnO
