二氧化锡半导体薄膜制备的研究.doc
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二氧化锡半导体薄膜制备的研究,study on preparation of tin oxide semiconductor thin films1.97万字 36页 原创作品，已通过查重系统 摘要 sno2薄膜具有电阻率低，在可见光区域透过率高，热稳定性好，较强的化学稳定性和良好的吸附性而被广泛应用于电极材料、太阳能电...
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二氧化锡半导体薄膜制备的研究
Study on Preparation of Tin Oxide Semiconductor
Thin Films
1.97万字 36页 原创作品，已通过查重系统
摘要 SnO2薄膜具有电阻率低，在可见光区域透过率高，热稳定性好，较强的化学稳定性和良好的吸附性而被广泛应用于电极材料、太阳能电池、敏感材料、光电子器件、薄膜电阻器、热反射镜和荧光灯等各种领域。制备SnO2薄膜的方法有很多，包括化学气相沉积法，真空蒸发法，喷雾热解法，脉冲激光沉积法，磁控溅射法，溶胶凝胶法，电子束外延法，基质辅助脉冲激光蒸发法，连续离子层吸附反应法，喷雾凝胶热解法等。溶胶凝胶法因其具有成本低廉，均匀性好，纯度高，可控制变量等优点而被广泛应用。
本论文以氯化亚锡（SnCl2﹒2H2O）和无水乙醇（CH3CH2OH）为前驱体原料，使用溶胶凝胶提拉法制备了一系列SnO2薄膜，并运用X-射线衍射仪（XRD），扫描电镜（SEM），电阻测试仪和原子力显微镜（AFM）对样品薄膜的结构和性能进行了研究。
本文通过掺杂一定比例的Sb来研究所制备样品薄膜的性能，实验结果表明，随着镀膜层数的增加，SnO2薄膜的电阻呈现先减后增的趋势，当镀膜为8层时，电阻降到最低值，因而在其他因素作为变量时镀膜层数均为8层；随着热处理温度的升高，SnO2薄膜的电阻逐渐变小，SEM照片显示在450℃以上时，薄膜的结晶度良好，晶粒尺寸在十个纳米以下；未掺杂SnO2薄膜属于四方金红石型结构，具有微弱的电导性，Sb掺杂没有产生新的晶相，随着Sb掺杂浓度的增加薄膜的电阻值表现出先减小后增大的趋势，在Sb掺杂量为15mol%时，薄膜的电阻降到了最低值0.135MΩ。
关键词 SnO2薄膜 溶胶凝胶法 Sb掺杂改性 导电性能
Study on Preparation of Tin Oxide Semiconductor
Thin Films
1.97万字 36页 原创作品，已通过查重系统
摘要 SnO2薄膜具有电阻率低，在可见光区域透过率高，热稳定性好，较强的化学稳定性和良好的吸附性而被广泛应用于电极材料、太阳能电池、敏感材料、光电子器件、薄膜电阻器、热反射镜和荧光灯等各种领域。制备SnO2薄膜的方法有很多，包括化学气相沉积法，真空蒸发法，喷雾热解法，脉冲激光沉积法，磁控溅射法，溶胶凝胶法，电子束外延法，基质辅助脉冲激光蒸发法，连续离子层吸附反应法，喷雾凝胶热解法等。溶胶凝胶法因其具有成本低廉，均匀性好，纯度高，可控制变量等优点而被广泛应用。
本论文以氯化亚锡（SnCl2﹒2H2O）和无水乙醇（CH3CH2OH）为前驱体原料，使用溶胶凝胶提拉法制备了一系列SnO2薄膜，并运用X-射线衍射仪（XRD），扫描电镜（SEM），电阻测试仪和原子力显微镜（AFM）对样品薄膜的结构和性能进行了研究。
本文通过掺杂一定比例的Sb来研究所制备样品薄膜的性能，实验结果表明，随着镀膜层数的增加，SnO2薄膜的电阻呈现先减后增的趋势，当镀膜为8层时，电阻降到最低值，因而在其他因素作为变量时镀膜层数均为8层；随着热处理温度的升高，SnO2薄膜的电阻逐渐变小，SEM照片显示在450℃以上时，薄膜的结晶度良好，晶粒尺寸在十个纳米以下；未掺杂SnO2薄膜属于四方金红石型结构，具有微弱的电导性，Sb掺杂没有产生新的晶相，随着Sb掺杂浓度的增加薄膜的电阻值表现出先减小后增大的趋势，在Sb掺杂量为15mol%时，薄膜的电阻降到了最低值0.135MΩ。
关键词 SnO2薄膜 溶胶凝胶法 Sb掺杂改性 导电性能
