si表面自组装纳米结构的制备及其光致发光性能.doc

摘要 采用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对单晶硅进行表面辐照处理，利用光学显微镜（OM），原子力显微镜（AFM），扫描电子显微镜（SEM），透射电子显微镜（TEM）对辐照后样品的微观结构进行详细的表征，并利用稳态/瞬态荧光光谱仪（FLS920）考察HCPEB辐照后样品的光致发光性能。实验结果表明：辐照后样品表面诱发了各种位错组态，还在局部区域形成密集的多孔结构。此外，HCPEB辐照在样品表面形成了纳米晶结构，并且在其表面形成了网格型和六边形自组装纳米阵列。PL光谱显示辐照后Si样品还具有410 nm（3.01eV）左右的蓝光发射现象。

关键词: 单晶Si；强流脉冲电子束；微观结构；光致发光