bjt的设计.ppt
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bjt的设计,一、通用的设计考虑 1、发射区的设计（实际工艺流程中是最后制备成的）发射区的参数只影响jb、寄生电阻、电容和最终的ic，但不影响jc设计中通常不通过调节jb来调节器件性能发射区设计的要求：根据实际需要的电流决定发射区的面积获得尽可能小的基极电流获得尽可能小的发射区电阻使ib稳定、可重复由于发射区的掺杂浓度很高 =...
内容介绍
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一、通用的设计考虑
1、发射区的设计 （实际工艺流程中是最后制备成的）
发射区的参数只影响JB、寄生电阻、电容和最终的IC，但不影响JC
设计中通常不通过调节JB来调节器件性能
发射区设计的要求：
根据实际需要的电流决定发射区的面积
获得尽可能小的基极电流
获得尽可能小的发射区电阻
使IB稳定、可重复
由于发射区的掺杂浓度很高 性能的稳定和可重复重要
同时为降低发射极接触电阻通常利用硅化物工艺
由于EB结空间电荷区的影响，扩散或注入的发射区当WB<100nm以后无法满足稳定工艺的要求。（扩散E区的结深约为300nm）
对于薄基区通常采用多晶硅发射区，结深可达25nm，但存在re大的问题
1、发射区的设计 （实际工艺流程中是最后制备成的）
发射区的参数只影响JB、寄生电阻、电容和最终的IC，但不影响JC
设计中通常不通过调节JB来调节器件性能
发射区设计的要求：
根据实际需要的电流决定发射区的面积
获得尽可能小的基极电流
获得尽可能小的发射区电阻
使IB稳定、可重复
由于发射区的掺杂浓度很高 性能的稳定和可重复重要
同时为降低发射极接触电阻通常利用硅化物工艺
由于EB结空间电荷区的影响，扩散或注入的发射区当WB<100nm以后无法满足稳定工艺的要求。（扩散E区的结深约为300nm）
对于薄基区通常采用多晶硅发射区，结深可达25nm，但存在re大的问题
