max9996的芯片简介及电路毕业设计.doc
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max9996的芯片简介及电路毕业设计,基于max9996的芯片简介及电路设计本文共计15页，3802字；摘要简要介绍sige高线性度、1700mhz至2200mhz带有lo缓冲器/开关的下变频混频器的功能、内部结构、引脚排列及典型的应用电路。除具有优异的线性度和噪声性外,max9996还具有元件高度集成特性。该器件包括一个双平衡无源混频器核、一个if放大器...
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基于MAX9996的芯片简介及电路设计
本文共计15页，3802字；
摘要
简要介绍SiGe高线性度、1700MHz至2200MHz带有LO缓冲器/开关的下变频混频器的功能、内部结构、引脚排列及典型的应用电路。除具有优异的线性度和噪声性外,MAX9996还具有元件高度集成特性。该器件包括一个双平衡无源混频器核、一个IF放大器、一个双输入LO选择开关以及一个LO缓冲。片内集成平衡转换器使器件能够接收单端RF和LO输入。MAX9996需要一个标称0dBm的LO驱动，电源电流保证高于240mA。只要在芯片外围加上一些偏置电路，就可以实现中频输出。
关键字： LO缓冲器/开关，双平衡无源混频器核，IF放大器，平衡转换器，LO选择开关
Abstract
It briefly introduced The SiGe High-Linearity,1700MHz to 2200MHz Down conversion Mixer with LO Buffer/Switch function, internal structure, pin array and typical apply circuit. In addition to offering excellent linearity and noise performance, the MAX9996 also yields a high level of component integration. This device includes a double balanced passive
目 录
1. MAX9996芯片简介--------------------------------------------4
2 .MAX9996芯片封装与引脚功能----------------------------------4
2.1芯片封装形式--------------------------------------------------------------------------------4
2.2 芯片引脚功能------------------------------------------------------------------------------5
2.3 芯片直流特性---------------------------------------------------------------------------5
2.4 芯片交流特性-------------------------------------------------------------------------------5
2.5 交流特性曲线-------------------------------------------------------------------------------7
3. 芯片内部结构与工作原理----------------------------------------------------------------11
3.1 射频输入与平衡变换器------------------------------------------------------------------11
3.2 LO信号选择开关--------------------------------------------------------------------------11
3.3 LO信号与平衡变换器--------------------------------------------------------------------11
3.4中频放大器----------------------------------------------------------------------------------11
3.5混频器核-------------------------------------------------------------------------------------11
3.6 LO缓冲开关--------------------------------------------------------------------------------11
4．应用电路设计------------------------------------------------12
4.1元器件列表-----------------------------------------------------------12
4.2对应用电路的一些说明-------------------------------------------------13
4.2.1输入输出匹配---------------------------------------------------13
4.2.2 偏置电阻-----------------------------------------------------------------------------------13
4.2.3 LEXT 电感---------------------------------------------------------------------------------13
4.2.4 PCB布局------------------------------------------------------------------------------------13
4.2.5旁路电源-------------------------------------------------------13
5. 封装工艺-------------------------------------------------------------14
6．总结--------------------------------------------------------15
参考文献-----------------------------------------------------------------------------------------------15
参考文献
１. 黄智伟．射频集成电路芯片原理与应用电路设计[M].北京：电子工业出版社 ．2004年3月
２. 章燕翼．现代电信名词术语解释[M].北京：人民邮电出版社．2004年
３. 黄智伟．无线数字收发电路设计[M].北京：电子工业出版社．2004年
本文共计15页，3802字；
摘要
简要介绍SiGe高线性度、1700MHz至2200MHz带有LO缓冲器/开关的下变频混频器的功能、内部结构、引脚排列及典型的应用电路。除具有优异的线性度和噪声性外,MAX9996还具有元件高度集成特性。该器件包括一个双平衡无源混频器核、一个IF放大器、一个双输入LO选择开关以及一个LO缓冲。片内集成平衡转换器使器件能够接收单端RF和LO输入。MAX9996需要一个标称0dBm的LO驱动，电源电流保证高于240mA。只要在芯片外围加上一些偏置电路，就可以实现中频输出。
关键字： LO缓冲器/开关，双平衡无源混频器核，IF放大器，平衡转换器，LO选择开关
Abstract
It briefly introduced The SiGe High-Linearity,1700MHz to 2200MHz Down conversion Mixer with LO Buffer/Switch function, internal structure, pin array and typical apply circuit. In addition to offering excellent linearity and noise performance, the MAX9996 also yields a high level of component integration. This device includes a double balanced passive
目 录
1. MAX9996芯片简介--------------------------------------------4
2 .MAX9996芯片封装与引脚功能----------------------------------4
2.1芯片封装形式--------------------------------------------------------------------------------4
2.2 芯片引脚功能------------------------------------------------------------------------------5
2.3 芯片直流特性---------------------------------------------------------------------------5
2.4 芯片交流特性-------------------------------------------------------------------------------5
2.5 交流特性曲线-------------------------------------------------------------------------------7
3. 芯片内部结构与工作原理----------------------------------------------------------------11
3.1 射频输入与平衡变换器------------------------------------------------------------------11
3.2 LO信号选择开关--------------------------------------------------------------------------11
3.3 LO信号与平衡变换器--------------------------------------------------------------------11
3.4中频放大器----------------------------------------------------------------------------------11
3.5混频器核-------------------------------------------------------------------------------------11
3.6 LO缓冲开关--------------------------------------------------------------------------------11
4．应用电路设计------------------------------------------------12
4.1元器件列表-----------------------------------------------------------12
4.2对应用电路的一些说明-------------------------------------------------13
4.2.1输入输出匹配---------------------------------------------------13
4.2.2 偏置电阻-----------------------------------------------------------------------------------13
4.2.3 LEXT 电感---------------------------------------------------------------------------------13
4.2.4 PCB布局------------------------------------------------------------------------------------13
4.2.5旁路电源-------------------------------------------------------13
5. 封装工艺-------------------------------------------------------------14
6．总结--------------------------------------------------------15
参考文献-----------------------------------------------------------------------------------------------15
参考文献
１. 黄智伟．射频集成电路芯片原理与应用电路设计[M].北京：电子工业出版社 ．2004年3月
２. 章燕翼．现代电信名词术语解释[M].北京：人民邮电出版社．2004年
３. 黄智伟．无线数字收发电路设计[M].北京：电子工业出版社．2004年
