过渡金属氧化物阻变存储器动态特性的蒙特卡洛仿真.docx
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过渡金属氧化物阻变存储器动态特性的蒙特卡洛仿真,目 录第一章 绪论 1 1.1 引言 1 1.2 阻变存储器的工作机理 3 1.2.1 熔丝-反熔丝模型 4 1.2.2 电化学原理(ecm)模型 5 1.2.3 离子价变(vcm)模型 6 1.3 阻变存储器模拟的国内外研究现状 7 1.4 monte carlo方法模拟 8 1.5 本论文的研究意义与内容 9 第二...
内容介绍
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第一章 绪论 1
1.1 引言 1
1.2 阻变存储器的工作机理 3
1.2.1 熔丝-反熔丝模型 4
1.2.2 电化学原理(ECM)模型 5
1.2.3 离子价变(VCM)模型 6
1.3 阻变存储器模拟的国内外研究现状 7
1.4 Monte Carlo方法模拟 8
1.5 本论文的研究意义与内容 9
第二章 基于电化学原理RRAM的Monte Carlo仿真分析 11
2.1电化学导电细丝RRAM的Monte Carlo模拟仿真流程 11
2.2 基于阴极导电细丝的ECM RRAM的KMC模拟仿真步骤 13
2.3 阴极导电细丝机理的RRAM仿真结果与分析 15
2.3.1仿真I-V曲线及导电细丝生长的非均匀性 15
2.3.2 阻变层厚度对阻变转变时间的影响 17
2.3.3 导电细丝的形貌分析 18
2.4 本章小结 19
第三章 双极型RRAM器件二维尺寸因素影响的模拟分析 20
3.1 双极型RRAM结构仿真计算方法 20
3.2 二维尺度效应:器件电学特性变化 20
3.3二维尺度效应:均匀性的改善 21
3.4二维尺度效应:局域热效应 22
第四章 VCM原理RRAM的仿真模拟 24
4.1基于势阱辅助隧穿效应的电子占有率计算 24
4.2电子占有率计算模型的建立 26
4.3电子占有率模拟仿真结果分析 27
4.4双极型氧空位器件阻变过程描述与建模 29
4.5 Forming阻变过程的模拟仿真 30
4.6 Reset阻变过程的模拟仿真 31
4.7本章总结 33
第五章 Cu/VOx/W结构阻变存储器的制备与表征 34
5.1 VOx阻变器件的制备 34
5.2 VOx阻变器件物理特性表征 35
5.3 VOx器件的电学性能表征与分析 37
5.4 Cu/VOx/W结构器件电学性质与电化学模型仿真的比较与分析 40
第六章 总结与展望 41
参考文献 43
发表论文和科研情况说明 48
致 谢 50