新型半导体纳米线光子器件及关键制备工艺.doc
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新型半导体纳米线光子器件及关键制备工艺,纳米线制作field-effect transistors, single-electron transistors, light-emitting devices,和 chemical sensors经过积极地探索，造福人类。因为2-d尺度上的量子限制效应，电子空穴表现出新颖的物理现象。纳米线需要控制size均匀，位...
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纳米线制作Field-effect transistors, single-electron transistors, light-emitting devices,和 chemical sensors经过积极地探索，造福人类。因为2-D尺度上的量子限制效应，电子空穴表现出新颖的物理现象。
纳米线需要控制SIZE均匀，位置均匀，获得较好的纳米线器件性质。选择面SA-MOCVD生长纳米线，能获得高质量纳米线阵列。
电流的传输速度有限，II-V族化合物处理传输光信号和电信号，光学互联有更好的效果，能利用光速快的优点。所以需要寻找Si晶片上的单片集成光源。Si、Ge是间接带隙，光源需要直接带隙的材料。III-V族化合物（GaAs、InP）是直接带隙，但是Si和III-V有较大的晶格失配。III-V的在Si上的外延生长温度较高，比GaAs、InP衬底上生长III-V化合物生长温度高，所以III-V族材料集成到Si晶片上，比较困难。
太阳电池需要多个带隙的III-V材料，不同带隙的材料光生电流，
纳米线需要控制SIZE均匀，位置均匀，获得较好的纳米线器件性质。选择面SA-MOCVD生长纳米线，能获得高质量纳米线阵列。
电流的传输速度有限，II-V族化合物处理传输光信号和电信号，光学互联有更好的效果，能利用光速快的优点。所以需要寻找Si晶片上的单片集成光源。Si、Ge是间接带隙，光源需要直接带隙的材料。III-V族化合物（GaAs、InP）是直接带隙，但是Si和III-V有较大的晶格失配。III-V的在Si上的外延生长温度较高，比GaAs、InP衬底上生长III-V化合物生长温度高，所以III-V族材料集成到Si晶片上，比较困难。
太阳电池需要多个带隙的III-V材料，不同带隙的材料光生电流，
