快速热处理对铸造多晶硅少子寿命热衰减的影响.zip
快速热处理对铸造多晶硅少子寿命热衰减的影响,包括开题报告，任务书，ppt，翻译原文和译文摘要iabstractii1 引言11.1 晶体硅太阳能电池的发展现状11.2 晶体硅电池的基本工艺21.3 多晶硅材料中的杂质和缺陷21.4 多晶硅材料的基本电学性能31.4.1 少子寿命31.4.2 电阻率31.4.3 带隙和本征载流子浓度41.5 多晶硅太阳能电池制备过...
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内容介绍
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包括开题报告，任务书，ppt，翻译原文和译文
摘 要 I
Abstract II
1 引言 1
1.1 晶体硅太阳能电池的发展现状 1
1.2 晶体硅电池的基本工艺 2
1.3 多晶硅材料中的杂质和缺陷 2
1.4 多晶硅材料的基本电学性能 3
1.4.1 少子寿命 3
1.4.2 电阻率 3
1.4.3 带隙和本征载流子浓度 4
1.5 多晶硅太阳能电池制备过程中的热处理过程 4
1.5.1 RTP在磷扩散作用以及磷扩散对多晶硅少子寿命分布的影响 5
1.6 研究的意义和内容 6
2 实验方法 6
2.1 实验样品与试剂 6
2.2 实验仪器 6
2.3 实验方案 7
2.4 实验步骤 7
2.4.1 硅片的预处理 7
2.4.2 原始硅片参数的测定 8
2.4.3 硅片的快速热处理及电学性能测试 8
2.4.4 硅片的少子寿命热衰减处理 8
2.4.5 硅片的生产热过程处理 9
2.4.6 热处理后硅片的参数测试 9
3 结果与讨论 9
3.1 RTP对多晶硅间隙铁含量和电学性能的影响 9
3.1.1 RTP对多晶硅间隙铁含量的影响 9
3.1.2 RTP对电阻率的影响 10
3.1.3 RTP对少子寿命的影响 11
3.2 RTP对多晶硅在少子寿命热衰减间隙铁含量及电学性能的影响.............12
3.2.1 RTP对多晶硅少子寿命热衰减间隙铁含量的影响 13
3.2.2 RTP对多晶硅少子寿命热衰减电阻率的影响 14
3.2.3 RTP对多晶硅少子寿命热衰减的影响 15
3.3 RTP对多晶硅在磷化烧结热过程中间隙铁含量和电学性能的影响 17
3.3.1 RTP对多晶硅在磷化烧结热过程中间隙铁含量的影响 17
3.3.2 RTP对多晶硅在磷化烧结热过程中电阻率的影响 18
3.3.3 RTP对多晶硅在磷化烧结热过程中少子寿命的影响 19
4 结论 21
参考文献 22
致谢 24
快速热处理对铸造多晶硅少子寿命热衰减的影响
摘 要
本文研究了快速热处理对多晶硅片少子寿命热衰减的影响。将经过1000 oC保温以50 oC/s快速冷却快速热处理的硅片与原始硅片在900 oC保温以不同的冷却速率冷却至室温，比较两者的少子寿命与电阻率等性能；并将硅片经历硅晶太阳电池制作过程中磷扩散和铝背极烧结的热过程，比较两者少子寿命与电阻率性能。实验结果证明：多晶硅片进行快速热处理后，其电阻率上升，少子寿命急剧降低，而间隙铁含量大幅度的提高；经快速热处理的硅片和原始硅片经过900 oC加热以不同的速率冷却后，其少子寿命随冷却速率增加而降低，而间隙铁含量随冷却速率增加而升高，而且经过快速热处理的硅片的少子寿命比原始硅片的要低；磷扩散铝背极烧结之后经过快速热处理的硅片少子寿命比原始硅片低，电阻率大，铁含量更高。
关键词：多晶硅片；快速热处理；少子寿命；热衰减
The effects of rapid thermal processing on thermal degradation of minority carrier lifetime of cast multicrystalline silicon
Abstract
The effects of rapid thermal processing on thermal degradation of minority carrier lifetime of cast multicrystalline silicon were studied. The wafers after 1000 oC heating and rapid cooling with 50 oC/s and original silicon wafers were heated at 900 oC and cooling to the room temperature with different rate, comparing both minority carrier lifetime and resistivity; and wafers through silicon solar cell production process phosphorous diffusion and aluminum back of sintering heat process, compare the two minority carrier lifetime and resistance can spontaneously. Experimental results show: polycrystalline silicon slice to fast after heat treatment, the rise of the resistivity, minority carrier lifetime is sharply reduce, iron content and clearance will be greatly improved; Silicon fast heat and the original silicon wafer after 900 oC heat at different rates after cooling, the minority carrier lifetime decreased with increasing cooling rate, iron content increases with the increase of cooling rate and clearance, and silicon minority carrier lifetime through rapid heat treatment is lower than the original silicon wafer; Phosphorus diffusion aluminium back after rapid heat treatment after sintering silicon minority carrier lifetime than the original silicon wafer is low, the resistivity, the iron content is higher.
Key words: polysilicon wafer; rapid thermal processing; minority carrier lifetime; the thermal
摘 要 I
Abstract II
1 引言 1
1.1 晶体硅太阳能电池的发展现状 1
1.2 晶体硅电池的基本工艺 2
1.3 多晶硅材料中的杂质和缺陷 2
1.4 多晶硅材料的基本电学性能 3
1.4.1 少子寿命 3
1.4.2 电阻率 3
1.4.3 带隙和本征载流子浓度 4
1.5 多晶硅太阳能电池制备过程中的热处理过程 4
1.5.1 RTP在磷扩散作用以及磷扩散对多晶硅少子寿命分布的影响 5
1.6 研究的意义和内容 6
2 实验方法 6
2.1 实验样品与试剂 6
2.2 实验仪器 6
2.3 实验方案 7
2.4 实验步骤 7
2.4.1 硅片的预处理 7
2.4.2 原始硅片参数的测定 8
2.4.3 硅片的快速热处理及电学性能测试 8
2.4.4 硅片的少子寿命热衰减处理 8
2.4.5 硅片的生产热过程处理 9
2.4.6 热处理后硅片的参数测试 9
3 结果与讨论 9
3.1 RTP对多晶硅间隙铁含量和电学性能的影响 9
3.1.1 RTP对多晶硅间隙铁含量的影响 9
3.1.2 RTP对电阻率的影响 10
3.1.3 RTP对少子寿命的影响 11
3.2 RTP对多晶硅在少子寿命热衰减间隙铁含量及电学性能的影响.............12
3.2.1 RTP对多晶硅少子寿命热衰减间隙铁含量的影响 13
3.2.2 RTP对多晶硅少子寿命热衰减电阻率的影响 14
3.2.3 RTP对多晶硅少子寿命热衰减的影响 15
3.3 RTP对多晶硅在磷化烧结热过程中间隙铁含量和电学性能的影响 17
3.3.1 RTP对多晶硅在磷化烧结热过程中间隙铁含量的影响 17
3.3.2 RTP对多晶硅在磷化烧结热过程中电阻率的影响 18
3.3.3 RTP对多晶硅在磷化烧结热过程中少子寿命的影响 19
4 结论 21
参考文献 22
致谢 24
快速热处理对铸造多晶硅少子寿命热衰减的影响
摘 要
本文研究了快速热处理对多晶硅片少子寿命热衰减的影响。将经过1000 oC保温以50 oC/s快速冷却快速热处理的硅片与原始硅片在900 oC保温以不同的冷却速率冷却至室温，比较两者的少子寿命与电阻率等性能；并将硅片经历硅晶太阳电池制作过程中磷扩散和铝背极烧结的热过程，比较两者少子寿命与电阻率性能。实验结果证明：多晶硅片进行快速热处理后，其电阻率上升，少子寿命急剧降低，而间隙铁含量大幅度的提高；经快速热处理的硅片和原始硅片经过900 oC加热以不同的速率冷却后，其少子寿命随冷却速率增加而降低，而间隙铁含量随冷却速率增加而升高，而且经过快速热处理的硅片的少子寿命比原始硅片的要低；磷扩散铝背极烧结之后经过快速热处理的硅片少子寿命比原始硅片低，电阻率大，铁含量更高。
关键词：多晶硅片；快速热处理；少子寿命；热衰减
The effects of rapid thermal processing on thermal degradation of minority carrier lifetime of cast multicrystalline silicon
Abstract
The effects of rapid thermal processing on thermal degradation of minority carrier lifetime of cast multicrystalline silicon were studied. The wafers after 1000 oC heating and rapid cooling with 50 oC/s and original silicon wafers were heated at 900 oC and cooling to the room temperature with different rate, comparing both minority carrier lifetime and resistivity; and wafers through silicon solar cell production process phosphorous diffusion and aluminum back of sintering heat process, compare the two minority carrier lifetime and resistance can spontaneously. Experimental results show: polycrystalline silicon slice to fast after heat treatment, the rise of the resistivity, minority carrier lifetime is sharply reduce, iron content and clearance will be greatly improved; Silicon fast heat and the original silicon wafer after 900 oC heat at different rates after cooling, the minority carrier lifetime decreased with increasing cooling rate, iron content increases with the increase of cooling rate and clearance, and silicon minority carrier lifetime through rapid heat treatment is lower than the original silicon wafer; Phosphorus diffusion aluminium back after rapid heat treatment after sintering silicon minority carrier lifetime than the original silicon wafer is low, the resistivity, the iron content is higher.
Key words: polysilicon wafer; rapid thermal processing; minority carrier lifetime; the thermal
