双晶体管电荷分离分析外文翻译.rar

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双晶体管电荷分离分析的理论与应用

摘要

　　　为了评估MOS晶体管的辐射响应，我们这里描述一个双晶体管电荷分离方法。这种方法需要相同加工氧化物的n-和p-通道晶体管被辐射在相同的氧化物电场中。结合"单晶体管" midgap法和流动性方法的特点，我们知道一个可确定的阈值电压变化决定于氧化物被困与界面被困标准来自于阈值电压和流动测量。这些测量能多做2-5命令比使用midgap法 ，亚阈值斜率， 和电荷抽水方法。双晶体管法中没有可调参数，并包含一个内部自我一致性检查。比较MOS工艺和技术的midgap法 ，亚阈值斜率，和收取抽水方法精确的方法被验证了。双晶体管的测量和分析，不仅提供了有用的检查单晶体管的分析方法，也提供了许多应用中电荷分离方法的方法。包括测试1 ）装置在生产环境; 2 ）设备与寄生虫场氧化层泄漏; 3 ） SOS和so1技术与后勤闸或侧墙渗漏，4 ） MOS晶体管在极高的温度下。