多孔sioc中原位合成sic纳米线及其微观结构.doc
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多孔sioc中原位合成sic纳米线及其微观结构,多孔sioc中原位合成sic纳米线及其微观结构1.69万字 35页 原创作品，独家提交，已通过查重系统摘 要本课题采用用木粉为多孔模板，聚硅氧烷为前躯体，在多孔陶瓷中原位合成了sic纳米线。并利用多种分析测试手段对产物进行了表征，如sem，eds，xrd，tem，tg-dsc等，在实验中对纳米线生长过程及形貌进行观察研...
内容介绍
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多孔SiOC中原位合成SiC纳米线及其微观结构
1.69万字 35页 原创作品，独家提交，已通过查重系统
摘 要
本课题采用用木粉为多孔模板，聚硅氧烷为前躯体，在多孔陶瓷中原位合成了SiC纳米线。并利用多种分析测试手段对产物进行了表征，如SEM，EDS，XRD，TEM，TG-DSC等，在实验中对纳米线生长过程及形貌进行观察研究，对纳米线的生长过程和生长机理进行了分析。研究结果表明：SiC纳米线生长在多孔陶瓷中，长度达几十微米，SiC纳米线生长机理为VLS和VS生长模式，其生长与木粉与前驱体比例，烧结温度有关。由于提供的保护气体的不稳定性，单根纳米线呈现了非均一的直径和形态。木粉与聚硅氧烷的比例合成SiC纳米线的产量和形貌具有重要影响，木粉比例越大所呈现的纳米线形貌就更典型多为直线型，烧结温度对纳米线的形貌影响不大，但比例和烧结温度对纳米线的产量有重要影响。
关键词：聚硅氧烷前驱体；SiC纳米线；生长机理
1.69万字 35页 原创作品，独家提交，已通过查重系统
摘 要
本课题采用用木粉为多孔模板，聚硅氧烷为前躯体，在多孔陶瓷中原位合成了SiC纳米线。并利用多种分析测试手段对产物进行了表征，如SEM，EDS，XRD，TEM，TG-DSC等，在实验中对纳米线生长过程及形貌进行观察研究，对纳米线的生长过程和生长机理进行了分析。研究结果表明：SiC纳米线生长在多孔陶瓷中，长度达几十微米，SiC纳米线生长机理为VLS和VS生长模式，其生长与木粉与前驱体比例，烧结温度有关。由于提供的保护气体的不稳定性，单根纳米线呈现了非均一的直径和形态。木粉与聚硅氧烷的比例合成SiC纳米线的产量和形貌具有重要影响，木粉比例越大所呈现的纳米线形貌就更典型多为直线型，烧结温度对纳米线的形貌影响不大，但比例和烧结温度对纳米线的产量有重要影响。
关键词：聚硅氧烷前驱体；SiC纳米线；生长机理
