空间高能带电粒子辐射损伤数值模拟研究.doc
约49页DOC格式手机打开展开
空间高能带电粒子辐射损伤数值模拟研究,16343字49页原创作品，已通过查重系统摘要随着探月工程、火星探险等深空探测任务的提出、实施，航天活动在时间上的延长、空间上的延伸，尤其是载人航天工程的开展，深空辐射带来的辐射危险和防护问题日益突出。总剂量辐射效应对半导体器件的损伤及其严重，因此，本文介绍了有关总剂量辐射效应的产生...
内容介绍
此文档由会员 第二波打卡 发布
空间高能带电粒子辐射损伤数值模拟研究
16343字 49页 原创作品，已通过查重系统
摘 要
随着探月工程、火星探险等深空探测任务的提出、实施，航天活动在时间上的延长、空间上的延伸，尤其是载人航天工程的开展，深空辐射带来的辐射危险和防护问题日益突出。
总剂量辐射效应对半导体器件的损伤及其严重，因此，本文介绍了有关总剂量辐射效应的产生机制以及表征。利用Sentaurus TCAD仿真软件对MOS器件建模，并编程来对HfO2/SiO2叠栅MOS器件的辐照损伤进行模拟。通过仿真，并在有无辐照的两种环境下，得到了模拟器件的物理参数以及CV特性曲线图。从CV特性曲线图上提取平带电压的漂移量，通过计算得出不同辐照剂量下的氧化层陷阱电荷量，找出辐照剂量与氧化层陷阱电荷量的关系变化规律。
研究得到：辐照对器件内部电场分布、空穴电流密度、电子密度以及空间电荷的分布没有决定性影响，却对它们的大小产生了较为明显的影响。主要是增大了空穴电流密度、电子密度和空间电荷的大小，使电场强度略微降低。同时，辐照在介质中还产生了正的氧化层陷阱电荷，且氧化层陷阱电荷量随着辐照剂量的增加而近似线性增加。
关键词：空间辐射；HfO2/SiO2；总剂量效应；陷阱电荷；数值模拟
16343字 49页 原创作品，已通过查重系统
摘 要
随着探月工程、火星探险等深空探测任务的提出、实施，航天活动在时间上的延长、空间上的延伸，尤其是载人航天工程的开展，深空辐射带来的辐射危险和防护问题日益突出。
总剂量辐射效应对半导体器件的损伤及其严重，因此，本文介绍了有关总剂量辐射效应的产生机制以及表征。利用Sentaurus TCAD仿真软件对MOS器件建模，并编程来对HfO2/SiO2叠栅MOS器件的辐照损伤进行模拟。通过仿真，并在有无辐照的两种环境下，得到了模拟器件的物理参数以及CV特性曲线图。从CV特性曲线图上提取平带电压的漂移量，通过计算得出不同辐照剂量下的氧化层陷阱电荷量，找出辐照剂量与氧化层陷阱电荷量的关系变化规律。
研究得到：辐照对器件内部电场分布、空穴电流密度、电子密度以及空间电荷的分布没有决定性影响，却对它们的大小产生了较为明显的影响。主要是增大了空穴电流密度、电子密度和空间电荷的大小，使电场强度略微降低。同时，辐照在介质中还产生了正的氧化层陷阱电荷，且氧化层陷阱电荷量随着辐照剂量的增加而近似线性增加。
关键词：空间辐射；HfO2/SiO2；总剂量效应；陷阱电荷；数值模拟
