bp机灵敏度电场强度e的计算方法.doc

BP机灵敏度电场强度E的计算方法


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BP机灵敏度电场强度E的计算方法

　　[摘 要]：如何将在TEM小室中测得的BP机灵敏度dBm值转换为野外测试场人体携带时BP机灵敏度电场强度E值?是目前普遍存在和要求解决的一个问题。本文就此作了全面论述并给出了计算方法，在BP机的调试、检验等测试过程中具有应用推广价值。　　标准规定：BP机灵敏度测试应在30m野外场进行。但是，由于建立30m野外场对众多企业存在着实际困难，目前普遍在矩形TEM横电磁波传输小室中进行，给出的灵敏度是以dBm为单位的电平值，而非标准要求的以μV／m为单位的电场强度值E。如何克服TEM小室内电场强度E标定的困难?本文就此展开讨论。1　在射频耦合器TEM小室中场强E和输入电平的基本关系　　TEM测试小室的结构是按传输线理论设计的，在IEC489－6－89版本中已有说明，其附录J是此种装置的结构与测试指南。　　当射频电能馈入TEM小室，小室两平板导体之间的中心部位(不是所有的部位!)就建立一个均匀的TEM电磁场，电场分量垂直于平板导体，磁场分量平行于平板导体，两个分量都与电磁波传播方向相垂直。其中心部位电场强度：　　　　　　　　　　　　　　　(1)　　可推导出：　　　　　　　　　　　　　　　(2)式中：P—信号源入射高频功率(μW)；R—TEM小室输入阻抗实部(Ω)；D—中部导板到上下底板垂距(m)；AC—修正系数，其中A为中