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中空SiO2的合成及表征

1.35万字 31页 原创作品，已通过查重系统


毕业设计说明书中文摘要
在过去的二十年中系统地开发二氧化硅微孔介孔材料无论是基础科学还是先进技术都已成为一个很有意义的挑战。在本文中，我们采用奥斯特瓦尔德熟化的方法制备中空二氧化硅，研究反应温度、反应时间及硅源用量等反应条件对制备中空二氧化硅的影响。本实验以原硅酸四乙酯为硅源，加入CTAB做表面活性剂，设定反应温度为90、100、150、180℃，反应时间为10、13、16h，硅源用量为0.5、1.0、1.5、2.4ml，对不同条件下所制得的样品进行表征。
当浓度、温度不变时，反应时间越长，衍射峰强度越低，峰所在角度越大；浓度、时间不变时，随温度升高，随着温度升高，衍射峰的强度变大，衍射峰所在角度及介孔孔径变化无明显规律；温度、时间不变时，随硅源用量变大，峰所在角度变大，有序孔孔径基本不变。
结果表明，硅源用量为1.0ml，反应温度为150℃，反应时间为16h是反应的最佳条件。


关键词 介孔二氧化硅，奥斯瓦尔德熟化，中空结构