g-c3n4 pvdf复合材料的制备和介电性能研究.doc
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g-c3n4 pvdf复合材料的制备和介电性能研究,g-c3n4 /pvdf复合材料的制备和介电性能研究1.94万字 37页 原创作品，已通过查重系统摘要近年来电子工业飞速发展，使得对电介质材料的要求更高要求介电常数要更高损耗要更低。当前用的比较多的电容器是传统的陶瓷材料，它虽然具有非常高的介电常数，但是陶瓷材料的制备工艺复杂、易脆关键是介电损耗较大此外经常在在充电和放...
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g-C3N4 /PVDF复合材料的制备和介电性能研究
1.94万字 37页 原创作品，已通过查重系统
摘要
近年来电子工业飞速发展，使得对电介质材料的要求更高要求介电常数要更高损耗要更低。当前用的比较多的电容器是传统的陶瓷材料，它虽然具有非常高的介电常数，但是陶瓷材料的制备工艺复杂、易脆关键是介电损耗较大此外经常在在充电和放电的过程中发生机械共振导致它的寿命不高。因此目前制备高介电成为当今研究的热门。
本实验用热分解三聚氰胺制造出g-C3N4粉末，再以PVDF为基体g-C3N4为填料，进行溶液共混、搅拌、超声并烘干后采用热压发制备出g-C3N4/PVDF复合材料薄片。利用XRD、FTIR、SEM和TGA等方法对相应的试样进行表征，并且对复合材料薄片的介电性能进行了研究得出了以下结论。
XRD分析得出当g-C3N4作为填料加入到PVDF中，随着g-C3N4填料的增加，峰值越来越高，同样结晶度也越来越高。傅里叶变换红外光谱分析中，随着g-C3N4填料在复合材料中成分的增加，它的震动变动脆弱甚至消失。TGA失重分析得到复合材料的热转换温度Ta随着填料g-C3N4的增加而升高。复合材料的介电常数和损耗随着g-C3N含量的增加而增加，而且随着频率的增加，复合材料的介电常数都相应减小，g-C3N4含量大的下降更快。而温度对复合材料介电常数和损耗的影响不大。
关键词：聚偏氟乙烯，类石墨型氮化碳，介电性能，复合材料
1.94万字 37页 原创作品，已通过查重系统
摘要
近年来电子工业飞速发展，使得对电介质材料的要求更高要求介电常数要更高损耗要更低。当前用的比较多的电容器是传统的陶瓷材料，它虽然具有非常高的介电常数，但是陶瓷材料的制备工艺复杂、易脆关键是介电损耗较大此外经常在在充电和放电的过程中发生机械共振导致它的寿命不高。因此目前制备高介电成为当今研究的热门。
本实验用热分解三聚氰胺制造出g-C3N4粉末，再以PVDF为基体g-C3N4为填料，进行溶液共混、搅拌、超声并烘干后采用热压发制备出g-C3N4/PVDF复合材料薄片。利用XRD、FTIR、SEM和TGA等方法对相应的试样进行表征，并且对复合材料薄片的介电性能进行了研究得出了以下结论。
XRD分析得出当g-C3N4作为填料加入到PVDF中，随着g-C3N4填料的增加，峰值越来越高，同样结晶度也越来越高。傅里叶变换红外光谱分析中，随着g-C3N4填料在复合材料中成分的增加，它的震动变动脆弱甚至消失。TGA失重分析得到复合材料的热转换温度Ta随着填料g-C3N4的增加而升高。复合材料的介电常数和损耗随着g-C3N含量的增加而增加，而且随着频率的增加，复合材料的介电常数都相应减小，g-C3N4含量大的下降更快。而温度对复合材料介电常数和损耗的影响不大。
关键词：聚偏氟乙烯，类石墨型氮化碳，介电性能，复合材料
