sic颗粒增强铝基复合材料的电子封装材料制备技术（开题报告）.doc

SiC颗粒增强铝基复合材料的电子封装材料制备技术（开题报告）
1、课题的目的及意义
1.1课题综述
随着近代高新技术的发展，对材料不断提出多方面的性能要求。推动着材料向高比强度、高比刚度、高比韧性、耐高温、耐腐蚀、抗疲劳等多方而发展[1]。复合材料的出现在很大程度上解决了材料当前面临的问题，推进了材料的进展。
本课题正是结合产品生产的需要，运用特定的成型技术，利用颗粒增强基体而制备的一种新型复合材料，这种复合材料是一种高体积分数的电子封装材料，同时也是一种功能梯度材料。本课题研究的出发点就是在了解材料特点的基础上，结合实际的工艺条件，通过分析比较工艺要素，从而获得一种可行的制备高体积分数电子封装材料的技术。
1.2 课题的现状分析
1.2.1电子封装材料
理想电子封装材料的一些基本性能要求：导热性能要好，能够将半导体芯片在工作时所产生的热量及时地散发出去；膨胀系数(CTE) 要与Si 或GaA s等芯片相匹配；足够的强度和刚度；成本要尽可能低；在某些特殊的场合, 还要求材料的密度尽可能小，或者要求材料具有电磁屏蔽和射频屏蔽的特性[2]。
针对以上这些性能要求，开发了一种新型电子封装材料——SiCp/A l 复合材料。