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单电子器件

单电子器件一、库仑阻塞效应 coulomb blockade带电粒子受电场作用作定向运动，在多体带电的系统中，由于库仑作用，每个带电粒子同时处在两种电场的作用下：1.外电场2.伴随系统所有带电粒子的电场在分离的多体带电系统中，带电粒子靠隧穿形成电流，理论上，在一定条件下电流会中断，即库仑阻塞
非挥发性存储器－ROM

未编程时所有单元存储信息“1”存储信息的编程（写“0”）：向浮栅中注入电子存储信息的擦除：从浮栅中排出电子由于对可编程、可擦除的ROM，要求：注入电子编程的时间要很短注入到浮栅中的电子在不擦除时能够长时间停留（大于十年）因此对浮栅的的电子注入和擦除过程具有不对称特性
半导体器件

§ 1.1 半导体的基本知识§ 1.2 PN 结及半导体二极管§ 1.3 特殊二极管§ 1.4 半导体三极管§ 1.5 场效应晶体管 §1.1 半导体的基本知识1.1.1 导体、半导体和绝缘体自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。另有一类物质的..
半导体器件中的基本模块

第一节金属－半导体接触第二节 PN 结第三节异质结第四节 MOS结构第五节超晶格和量子阱
半导体存储器件

第一节引言第二节随机存储器（RAM）第三节只读存储器（ROM）第四节氮化硅存储器（SNM)第五节铁电存储器（FeRAM)第六节磁阻存储器（MRAM)第一节引言数字系统中，用于存储信息的器件数字系统中，用于存储器的器件数要多于逻辑器件数存储器技术的发展推动了半导体制备技术的进步速度、功耗、价格等因素是促进存储器..
BJT的设计

一、通用的设计考虑 1、发射区的设计（实际工艺流程中是最后制备成的）发射区的参数只影响JB、寄生电阻、电容和最终的IC，但不影响JC设计中通常不通过调节JB来调节器件性能发射区设计的要求：根据实际需要的电流决定发射区的面积获得尽可能小的基极电流获得尽可能小的发射区电阻使IB稳定、可重复由于发射区的掺杂浓度..
BJT 特性

BJT的I－V特性BJT的瞬态特性－电荷控制模型实际的集成BJT的特性寄生效应电流集边VBC对IC的影响准中性基区宽度的调制基区穿通Kirk 效应BJT的击穿
网络课程的设计与制作

一、网络课程简介二、网络课程的设计与开发三、网络课程中教学交往的思考一、网络课程简介 1.网络课程与课件2.网络课程的概念3.网络课程的现状4.网络课程存在的问题5.网络课程的特点6.网络课程的类型
课件制作的一般工具

课件制作的一般工具主要内容课件制作的通用工具常用课件制作工具的分类制作课件的技巧课件制作工具的分类基于页面的创作工具基于图标的创作工具基于时间的创作工具基于舞台的创作工具